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利用n2o與n2氣體快速加熱氮化於pecvd teos閘極氧化層及複晶矽...

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交通大學電子工程所

利用n2o與n2氣體快速加熱氮化於pecvd teos閘極氧化層及複晶矽氧化層之研究

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	朱浚□
其他團體作者:	交通大學電子工程所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	162頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE88-0007-8711509

利用n2o與n2氣體快速加熱氮化於pecvd teos閘極氧化層及複晶矽氧化層之研究
朱浚□

利用n2o與n2氣體快速加熱氮化於pecvd teos閘極氧化層及複晶矽氧化層之研究 / 朱浚□ 撰 ; 交通大學電子工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 162頁 ; 11x15公分.
MOE88-0007-8711509.
電子工程

利用n2o與n2氣體快速加熱氮化於pecvd teos閘極氧化層及複晶矽氧化層之研究
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210 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 162頁 $d 11x15公分
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館藏

2 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

833448600001005

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 2532 V1

1.一般(Normal)

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833448600001006

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 2532 V2

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