語系:
繁體中文
English
日文
簡体中文
說明(常見問題)
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
以陽極氧化技術備製低漏流及高耐壓特性之超薄閘極氧化層
~
丁介植
以陽極氧化技術備製低漏流及高耐壓特性之超薄閘極氧化層
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
丁介植
其他團體作者:
台灣大學電機工程所
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:
1999
面頁冊數:
96頁 : 11x15公分;
標題:
電機工程 -
附註:
MOE88-0003-R87921008
以陽極氧化技術備製低漏流及高耐壓特性之超薄閘極氧化層
丁介植
以陽極氧化技術備製低漏流及高耐壓特性之超薄閘極氧化層
/ 丁介植 撰 ; 台灣大學電機工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 96頁 ; 11x15公分.
MOE88-0003-R87921008.
電機工程
以陽極氧化技術備製低漏流及高耐壓特性之超薄閘極氧化層
LDR
:00412nhm 2200133 450
001
289487
009
9203198
100
$a
20100608d1999 0chiy0900 e
101
$a
chi
102
$a
tw
200
1
$a
以陽極氧化技術備製低漏流及高耐壓特性之超薄閘極氧化層
$f
丁介植 撰
$g
台灣大學電機工程所
210
$c
行政院國家科學委員會科學技術資料中心
$d
1999
215
$a
96頁
$d
11x15公分
300
$a
MOE88-0003-R87921008
606
$a
電機工程
$3
9918
700
$a
丁介植
$4
撰
$3
318115
712
$a
台灣大學電機工程所
$3
317594
801
1
$a
TW
$b
大葉大學
$c
20030219
筆 0 讀者評論
全部
三樓視聽資料區
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
833448000002444
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料(microform)
MF 448 1084 V1
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
833448000002445
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料(microform)
MF 448 1084 V2
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
2 筆 • 頁數 1 •
1
評論
新增評論
分享你的心得
Export
取書館別
處理中
...
變更密碼
登入