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ingaas/gaas量子井結構中晶格應變造成之缺陷能階電性分析

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蔡秋韻

ingaas/gaas量子井結構中晶格應變造成之缺陷能階電性分析

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	蔡秋韻
出版地:	台北市
出版者:	國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:	92頁 :
標題:	電子工程 -
附註:	MOE89-0007-8621501；陳振芳指導教授

ingaas/gaas量子井結構中晶格應變造成之缺陷能階電性分析
蔡秋韻

ingaas/gaas量子井結構中晶格應變造成之缺陷能階電性分析 / 蔡秋韻撰 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 92頁.
MOE89-0007-8621501；陳振芳指導教授.
電子工程

ingaas/gaas量子井結構中晶格應變造成之缺陷能階電性分析
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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

833448600000681

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 4420-B

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