大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

超薄閘極氧化層之p型金氧半電晶體中硼穿透暨電漿充電損害效應之研究

~

林靖乾

超薄閘極氧化層之p型金氧半電晶體中硼穿透暨電漿充電損害效應之研究

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	林靖乾
出版地:	台北市
出版者:	國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:	88頁 :
標題:	電子工程 -
附註:	MOE87-0007-8611546；施敏指導教授

超薄閘極氧化層之p型金氧半電晶體中硼穿透暨電漿充電損害效應之研究
林靖乾

超薄閘極氧化層之p型金氧半電晶體中硼穿透暨電漿充電損害效應之研究 / 林靖乾撰 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 88頁.
MOE87-0007-8611546；施敏指導教授.
電子工程

超薄閘極氧化層之p型金氧半電晶體中硼穿透暨電漿充電損害效應之研究
LDR:00404nhm 2200133 450 001 128335
009 9001011
100 $a 20100607 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 超薄閘極氧化層之p型金氧半電晶體中硼穿透暨電漿充電損害效應之研究 $f 林靖乾撰
210 $a 台北市 $c 國科會科學技術資料中心
215 $a 88頁
300 $a MOE87-0007-8611546；施敏指導教授
606 $a 電子工程 $3 505
700 $a 林靖乾 $4 撰 $3 117907
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20010118

筆 0 讀者評論

館藏

1 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

833448600000558

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 4404

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

1 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入