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表面通導p型金氧半場效電晶體中以新閘極製程抑製硼穿透效應之研究
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鍾昇鎮
表面通導p型金氧半場效電晶體中以新閘極製程抑製硼穿透效應之研究
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
鍾昇鎮
出版地:
台北市
出版者:
國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:
76頁 :
標題:
電子工程 -
附註:
MOE87-0007-8611536；施敏 指導教授
表面通導p型金氧半場效電晶體中以新閘極製程抑製硼穿透效應之研究
鍾昇鎮
表面通導p型金氧半場效電晶體中以新閘極製程抑製硼穿透效應之研究
/ 鍾昇鎮 撰 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 76頁.
MOE87-0007-8611536；施敏 指導教授.
電子工程
表面通導p型金氧半場效電晶體中以新閘極製程抑製硼穿透效應之研究
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20010118
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三樓視聽資料區
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
1
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典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
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借閱狀態
預約狀態
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附件
833448600000545
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3.不外借
微縮資料(microform)
MF 448.6 8268
1.一般(Normal)
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0
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