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兩階段氮化氧化層及各種閘電極對金氧半元件電特性之影響
~
莊讚誠
兩階段氮化氧化層及各種閘電極對金氧半元件電特性之影響
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
莊讚誠
出版地:
台北市
出版者:
國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:
109頁 : 11x15公分;
標題:
工程 -
附註:
MOE87-0002-G863154; 張廖貴術 指導教授
兩階段氮化氧化層及各種閘電極對金氧半元件電特性之影響
莊讚誠
兩階段氮化氧化層及各種閘電極對金氧半元件電特性之影響
/ 莊讚誠 撰 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 109頁 ; 11x15公分.
MOE87-0002-G863154; 張廖貴術 指導教授.
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兩階段氮化氧化層及各種閘電極對金氧半元件電特性之影響
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20001121
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三樓視聽資料區
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
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資料類型
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借閱狀態
預約狀態
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833440000000656
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3.不外借
微縮資料(microform)
MF 440 4400-A V1
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
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833440000000657
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料(microform)
MF 440 4400-A V2
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