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寄生氧化層對於二矽化鈷薄膜的影響

~

張旭良

寄生氧化層對於二矽化鈷薄膜的影響

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	張旭良
其他作者:	蔡中
其他作者:	荊鳳德
出版地:	台北市
出版者:	國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:	31頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE86-0007-8511562

寄生氧化層對於二矽化鈷薄膜的影響
張旭良

寄生氧化層對於二矽化鈷薄膜的影響 / 張旭良撰 ; 蔡中指導 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 31頁 ; 11x15公分.
MOE86-0007-8511562.
電子工程

蔡中

寄生氧化層對於二矽化鈷薄膜的影響
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200 1 $a 寄生氧化層對於二矽化鈷薄膜的影響 $f 張旭良撰 $g 蔡中指導 $g 荊鳳德指導
210 $a 台北市 $c 國科會科學技術資料中心
215 $a 31頁 $d 11x15公分
300 $a MOE86-0007-8511562
606 $a 電子工程 $3 505
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702 $a 蔡中 $4 指導 $3 95074
702 $a 荊鳳德 $4 指導 $3 62848
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20000524

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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

833448600000181

三樓視聽資料區

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微縮資料(microform)

MF 448.6 1143

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