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深次微米n型mosfet元件與閘氧化層製程相關之熱電子可靠性探討

~

莊紹勳

深次微米n型mosfet元件與閘氧化層製程相關之熱電子可靠性探討

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	陳尚志
其他作者:	莊紹勳
出版地:	台北市
出版者:	國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:	85頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE86-0007-8511554

深次微米n型mosfet元件與閘氧化層製程相關之熱電子可靠性探討
陳尚志

深次微米n型mosfet元件與閘氧化層製程相關之熱電子可靠性探討 / 陳尚志撰 ; 莊紹勳指導 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 85頁 ; 11x15公分.
MOE86-0007-8511554.
電子工程

莊紹勳

深次微米n型mosfet元件與閘氧化層製程相關之熱電子可靠性探討
LDR:00400nhm 2200133 450 001 105792
009 8909240
100 $a 20100607 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 深次微米n型mosfet元件與閘氧化層製程相關之熱電子可靠性探討 $f 陳尚志撰 $g 莊紹勳指導
210 $a 台北市 $c 國科會科學技術資料中心
215 $a 85頁 $d 11x15公分
300 $a MOE86-0007-8511554
606 $a 電子工程 $3 505
700 $a 陳尚志 $4 撰 $3 95076
702 $a 莊紹勳 $4 指導 $3 40460
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20000524

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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

833448600000174

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 7594

1.一般(Normal)

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