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深次微米逆離子佈植p通道金氧半場效電晶體之參數萃取及元件模式的新技術
~
吳健民
深次微米逆離子佈植p通道金氧半場效電晶體之參數萃取及元件模式的新技術
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
吳健民
其他作者:
吳慶源
出版地:
台北市
出版者:
國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:
210頁 : 11x15公分;
標題:
電子工程 -
附註:
MOE86-0007-7911541-D
深次微米逆離子佈植p通道金氧半場效電晶體之參數萃取及元件模式的新技術
吳健民
深次微米逆離子佈植p通道金氧半場效電晶體之參數萃取及元件模式的新技術
/ 吳健民 撰 ; 吳慶源 指導 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 210頁 ; 11x15公分.
MOE86-0007-7911541-D.
電子工程
吳慶源
深次微米逆離子佈植p通道金氧半場效電晶體之參數萃取及元件模式的新技術
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20000523
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館藏
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1
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833448600000036
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微縮資料(microform)
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限閱(視聽區)
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三樓視聽資料區
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