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應力與高濃度摻雜對低溫分子束磊晶生長砷化鎵的砷析出過程之影響

~

李威儀

應力與高濃度摻雜對低溫分子束磊晶生長砷化鎵的砷析出過程之影響

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	蘇晉德
其他作者:	李威儀
其他作者:	黃金花
出版地:	台北市
出版者:	國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:	100頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE86-0007-8221807-D

應力與高濃度摻雜對低溫分子束磊晶生長砷化鎵的砷析出過程之影響
蘇晉德

應力與高濃度摻雜對低溫分子束磊晶生長砷化鎵的砷析出過程之影響 / 蘇晉德撰 ; 李威儀指導 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 100頁 ; 11x15公分.
MOE86-0007-8221807-D.
電子工程

李威儀

應力與高濃度摻雜對低溫分子束磊晶生長砷化鎵的砷析出過程之影響
LDR:00429nhm 2200133 450 001 105432
009 8908691
100 $a 20100607 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 應力與高濃度摻雜對低溫分子束磊晶生長砷化鎵的砷析出過程之影響 $f 蘇晉德撰 $g 李威儀指導 $g 黃金花指導
210 $a 台北市 $c 國科會科學技術資料中心
215 $a 100頁 $d 11x15公分
300 $a MOE86-0007-8221807-D
606 $a 電子工程 $3 505
700 $a 蘇晉德 $4 撰 $3 94718
702 $a 李威儀 $4 指導 $3 54565
702 $a 黃金花 $4 指導 $3 78991
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20000522

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館藏

2 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

833448600000024

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 4412-A V1

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

833448600000025

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 4412-A V2

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