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以直接光激化學氣相沉積法成長之sio2/inpmosfet之直流及微波特...
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林地財
以直接光激化學氣相沉積法成長之sio2/inpmosfet之直流及微波特性研究=study of dc and microwave characteristics of mosfet on
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
林地財
其他團體作者:
私立崑山工商專科學校電子工程科
出版地:
台北市
出版者:
科學技術資料中心;
面頁冊數:
27頁 : 11x15公分;
附註:
NSC84-2215-E168-002
以直接光激化學氣相沉積法成長之sio2/inpmosfet之直流及微波特性研究=study of dc and microwave characteristics of mosfet on
林地財
以直接光激化學氣相沉積法成長之sio2/inpmosfet之直流及微波特性研究=study of dc and microwave characteristics of mosfet on
/ 林地財 ; 私立崑山工商專科學校電子工程科 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 27頁 ; 11x15公分.
NSC84-2215-E168-002.
以直接光激化學氣相沉積法成長之sio2/inpmosfet之直流及微波特性研究=study of dc and microwave characteristics of mosfet on
LDR
:00488nhm 2200133 450
001
101186
009
8900219
100
$a
20100607 0chiy0900 e
101
$a
chi
102
$a
tw
200
1
$a
以直接光激化學氣相沉積法成長之sio2/inpmosfet之直流及微波特性研究=study of dc and microwave characteristics of mosfet on
$f
林地財
$g
私立崑山工商專科學校電子工程科
210
$a
台北市
$c
科學技術資料中心
215
$a
27頁
$d
11x15公分
300
$a
NSC84-2215-E168-002
700
$a
林地財
$3
90608
712
$a
私立崑山工商專科學校電子工程科
$3
90609
801
1
$a
TW
$b
大葉大學
$c
20000104
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全部
三樓視聽資料區
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
804347100000024
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料(microform)
MF 347.1 4499
1.一般(Normal)
在架
0
1 筆 • 頁數 1 •
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