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光記憶材料之綜合研究(ii)第二子題:強電性鍵液晶高分子之合成及 其在光...
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交通大學應用化學研究所
光記憶材料之綜合研究(ii)第二子題:強電性鍵液晶高分子之合成及 其在光記憶上之應用=synthesis of ferrolelectric side chain..
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
其他作者:
許千樹
團體作者:
交通大學應用化學研究所
出版地:
台北市
出版者:
科學技術資料中心;
出版年:
1991
面頁冊數:
74頁 : 11x15公分;
附註:
NSC80-0416-E009-002
光記憶材料之綜合研究(ii)第二子題:強電性鍵液晶高分子之合成及 其在光記憶上之應用=synthesis of ferrolelectric side chain..
交通大學應用化學研究所
光記憶材料之綜合研究(ii)第二子題:強電性鍵液晶高分子之合成及 其在光記憶上之應用=synthesis of ferrolelectric side chain..
/ 交通大學應用化學研究所 ; 許千樹 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 74頁 ; 11x15公分.
NSC80-0416-E009-002.
許千樹
光記憶材料之綜合研究(ii)第二子題:強電性鍵液晶高分子之合成及 其在光記憶上之應用=synthesis of ferrolelectric side chain..
LDR
:00505nhm 2200133 450
001
61896
009
8507245
100
$a
20100607d1991 0chiy0900 e
101
$a
chi
102
$a
tw
200
1
$a
光記憶材料之綜合研究(ii)第二子題:強電性鍵液晶高分子之合成及 其在光記憶上之應用=synthesis of ferrolelectric side chain..
$f
交通大學應用化學研究所
$g
許千樹 著
210
$a
台北市
$c
科學技術資料中心
$d
1991
215
$a
74頁
$d
11x15公分
300
$a
NSC80-0416-E009-002
702
$a
許千樹
$4
著
$3
61304
710
$a
交通大學應用化學研究所
$3
61947
801
1
$a
TW
$b
大葉大學
$c
19960715
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全部
三樓視聽資料區
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
804340000000278
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料(microform)
MF 340 XXXX
1.一般(Normal)
在架
0
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