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利用低能量離子佈植技術以形成P+/n超淺接面之研究

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洪裕明

利用低能量離子佈植技術以形成P+/n超淺接面之研究

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	洪裕明
其他團體作者:	逢甲大學電機工程所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	84頁 : 11x15公分;
標題:	電機工程 -
附註:	MOE88-1007-M8703800

利用低能量離子佈植技術以形成P+/n超淺接面之研究
洪裕明

利用低能量離子佈植技術以形成P+/n超淺接面之研究 / 洪裕明撰 ; 逢甲大學電機工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 84頁 ; 11x15公分.
MOE88-1007-M8703800.
電機工程

利用低能量離子佈植技術以形成P+/n超淺接面之研究
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215 $a 84頁 $d 11x15公分
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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

833448000003233

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448 3436

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