大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

藉由NH3和N2O氮化複晶矽和非晶矽來成長高品質的複晶矽間介電層

~

逢甲大學電機工程所

藉由NH3和N2O氮化複晶矽和非晶矽來成長高品質的複晶矽間介電層

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	鄭俊民
其他團體作者:	逢甲大學電機工程所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	68頁 : 11x15公分;
標題:	電機工程 -
附註:	MOE88-1007-M8703742

藉由NH3和N2O氮化複晶矽和非晶矽來成長高品質的複晶矽間介電層
鄭俊民

藉由NH3和N2O氮化複晶矽和非晶矽來成長高品質的複晶矽間介電層 / 鄭俊民撰 ; 逢甲大學電機工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 68頁 ; 11x15公分.
MOE88-1007-M8703742.
電機工程

藉由NH3和N2O氮化複晶矽和非晶矽來成長高品質的複晶矽間介電層
LDR:00417nhm 2200133 450 001 295972
009 9212893
100 $a 20100608d1999 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 藉由NH3和N2O氮化複晶矽和非晶矽來成長高品質的複晶矽間介電層 $f 鄭俊民撰 $g 逢甲大學電機工程所
210 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 68頁 $d 11x15公分
300 $a MOE88-1007-M8703742
606 $a 電機工程 $3 9918
700 $a 鄭俊民 $4 撰 $3 323562
712 $a 逢甲大學電機工程所 $3 323433
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20030521

筆 0 讀者評論

館藏

1 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

833448000003224

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448 8427

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

1 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入