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電漿充電所產生氧化層可靠問題及p-快閃記憶元件之設計方法

~

吳慶源

電漿充電所產生氧化層可靠問題及p-快閃記憶元件之設計方法

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	游國豐
其他作者:	吳慶源
出版地:	台北市
出版者:	國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:	128頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE86-0007-8011520-D

電漿充電所產生氧化層可靠問題及p-快閃記憶元件之設計方法
游國豐

電漿充電所產生氧化層可靠問題及p-快閃記憶元件之設計方法 / 游國豐撰 ; 吳慶源指導 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 128頁 ; 11x15公分.
MOE86-0007-8011520-D.
電子工程

吳慶源

電漿充電所產生氧化層可靠問題及p-快閃記憶元件之設計方法
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200 1 $a 電漿充電所產生氧化層可靠問題及p-快閃記憶元件之設計方法 $f 游國豐撰 $g 吳慶源指導
210 $a 台北市 $c 國科會科學技術資料中心
215 $a 128頁 $d 11x15公分
300 $a MOE86-0007-8011520-D
606 $a 電子工程 $3 505
700 $a 游國豐 $4 撰 $3 94809
702 $a 吳慶源 $4 指導 $3 64231
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20000523

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館藏

2 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

833448600000046

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 3862 V1

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

833448600000047

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 3862 V2

1.一般(Normal)

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