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利用無參雜非晶矽/高參雜複晶矽堆疊式結構改善矽化鎢品質及mos元件氧化層... ~ 成功大學電機工程研究所

 

• 利用無參雜非晶矽/高參雜複晶矽堆疊式結構改善矽化鎢品質及mos元件氧化層之研究=to use undoped-a-si/heavy doped-polysilicon u

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  作者:	方炎坤
  其他團體作者:	成功大學電機工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  面頁冊數:	14頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC84-2215-E006-003

• 利用無參雜非晶矽/高參雜複晶矽堆疊式結構改善矽化鎢品質及mos元件氧化層之研究=to use undoped-a-si/heavy doped-polysilicon u
• 方炎坤
  
  利用無參雜非晶矽/高參雜複晶矽堆疊式結構改善矽化鎢品質及mos元件氧化層之研究=to use undoped-a-si/heavy doped-polysilicon u / 方炎坤 ; 成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 14頁 ; 11x15公分.
  NSC84-2215-E006-003.

• 利用無參雜非晶矽/高參雜複晶矽堆疊式結構改善矽化鎢品質及mos元件氧化層之研究=to use undoped-a-si/heavy doped-polysilicon u
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804621300000600	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 621.3 0094	1.一般(Normal)	在架	0

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