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半導體薄膜界面反應及結構研究-子計劃四:氮化鈦,金屬及金屬矽化物在矽,鍺... ~ 成功大學材料科學及工程學系

 

• 半導體薄膜界面反應及結構研究-子計劃四:氮化鈦,金屬及金屬矽化物在矽,鍺,碳化矽晶片上生長行=study of growth behavior and mic

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  作者:	林文台
  其他團體作者:	成功大學材料科學及工程學系
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  面頁冊數:	64頁 :
  標題:	工程材料 -
  附註:	NSC84-2215-E006-009

• 半導體薄膜界面反應及結構研究-子計劃四:氮化鈦,金屬及金屬矽化物在矽,鍺,碳化矽晶片上生長行=study of growth behavior and mic
• 林文台
  
  半導體薄膜界面反應及結構研究-子計劃四:氮化鈦,金屬及金屬矽化物在矽,鍺,碳化矽晶片上生長行=study of growth behavior and mic / 林文台 ; 成功大學材料科學及工程學系 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 64頁.
  NSC84-2215-E006-009.
  工程材料

• 半導體薄膜界面反應及結構研究-子計劃四:氮化鈦,金屬及金屬矽化物在矽,鍺,碳化矽晶片上生長行=study of growth behavior and mic
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804440300000521	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 440.3 4402	1.一般(Normal)	在架	0

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