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抑制深次微米金氧半電晶體中能帶間穿隧漏電流引致性能劣化之設計規範
~
交通大學電子工程研究所
抑制深次微米金氧半電晶體中能帶間穿隧漏電流引致性能劣化之設計規範
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
陳明哲
其他團體作者:
交通大學電子工程研究所
出版地:
台北市
出版者:
科學技術資料中心;
面頁冊數:
81頁 : 11x15公分;
標題:
電子工程 -
附註:
NSC84-2215-E009-005
抑制深次微米金氧半電晶體中能帶間穿隧漏電流引致性能劣化之設計規範
陳明哲
抑制深次微米金氧半電晶體中能帶間穿隧漏電流引致性能劣化之設計規範
/ 陳明哲 ; 交通大學電子工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 81頁 ; 11x15公分.
NSC84-2215-E009-005.
電子工程
抑制深次微米金氧半電晶體中能帶間穿隧漏電流引致性能劣化之設計規範
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19991011
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三樓視聽資料區
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
804621381000272
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3.不外借
微縮資料
MF 621.381 7565
1.一般(Normal)
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