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薄氧氮化矽電漿製程之傷害=thin oxynitride damage ...
~
清大電機工程研究所
薄氧氮化矽電漿製程之傷害=thin oxynitride damage from gate charging during plasma processing
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
其他作者:
葉鳳生
團體作者:
清大電機工程研究所
出版地:
台北市
出版者:
科學技術資料中心;
出版年:
1996
面頁冊數:
11x15公分;
附註:
NSC83-0404-E007-038
薄氧氮化矽電漿製程之傷害=thin oxynitride damage from gate charging during plasma processing
清大電機工程研究所
薄氧氮化矽電漿製程之傷害=thin oxynitride damage from gate charging during plasma processing
/ 清大電機工程研究所 ; 葉鳳生 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1996. ; 11x15公分.
NSC83-0404-E007-038.
葉鳳生
薄氧氮化矽電漿製程之傷害=thin oxynitride damage from gate charging during plasma processing
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大葉大學
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19970221
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全部
三樓視聽資料區
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
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附件
804448000000987
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 448 XXXX V1
1.一般(Normal)
在架
0
804448000000988
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 448 XXXX V2
1.一般(Normal)
在架
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2 筆 • 頁數 1 •
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