次損米金氧半元件中改良的熱載子效應二維模擬=imporoved two-...
交通大學電子工程研究所

 

  • 次損米金氧半元件中改良的熱載子效應二維模擬=imporoved two-dimensional simulation of the hot carrier effect in submicron..
  • 紀錄類型: 微縮資料 : 單行本
    其他作者: 莊紹勳
    團體作者: 交通大學電子工程研究所
    出版地: 台北市
    出版者: 科學技術資料中心;
    出版年: 1992
    面頁冊數: 66頁 : 11x15公分;
    附註: NSC81-0404-E009-112
館藏
  • 1 筆 • 頁數 1 •
 
804621381000222 三樓視聽資料區 3.不外借 微縮資料 MF 621.381 XXXX 1.一般(Normal) 在架 0
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