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以離子束蒸鍍法成長cu(in,ga)se2薄膜及(cd,zn)s/cu(... ~ 中山大學材料科學工程研究所

 

• 以離子束蒸鍍法成長cu(in,ga)se2薄膜及(cd,zn)s/cu(in,ga)se2太 陽電池研製=ion beam deposifion of cu(in,ca)se2 thin films...

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  其他作者:	曾于亨
  團體作者:	中山大學材料科學工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1991
  面頁冊數:	44頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC80-0417-E110-001

• 以離子束蒸鍍法成長cu(in,ga)se2薄膜及(cd,zn)s/cu(in,ga)se2太 陽電池研製=ion beam deposifion of cu(in,ca)se2 thin films...
• 中山大學材料科學工程研究所
  
  以離子束蒸鍍法成長cu(in,ga)se2薄膜及(cd,zn)s/cu(in,ga)se2太 陽電池研製=ion beam deposifion of cu(in,ca)se2 thin films... / 中山大學材料科學工程研究所 ; 曾于亨 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 44頁 ; 11x15公分.
  NSC80-0417-E110-001.
  
  曾于亨

• 以離子束蒸鍍法成長cu(in,ga)se2薄膜及(cd,zn)s/cu(in,ga)se2太 陽電池研製=ion beam deposifion of cu(in,ca)se2 thin films...
• LDR:00494nhm 2200133 450 001 64360
  009 8509718
  100 $a  20100607d1991 0chiy0900 e
  101 $a  chi
  102 $a  tw
  200 1 $a  以離子束蒸鍍法成長cu(in,ga)se2薄膜及(cd,zn)s/cu(in,ga)se2太 陽電池研製=ion beam deposifion of cu(in,ca)se2 thin films... $f  中山大學材料科學工程研究所 $g  曾于亨 著
  210 $a  台北市 $c  科學技術資料中心 $d  1991
  215 $a  44頁 $d  11x15公分
  300 $a  NSC80-0417-E110-001
  702 $a  曾于亨 $4  著 $3  63638
  710 $a  中山大學材料科學工程研究所 $3  62339
  801 1 $a  TW $b  大葉大學 $c  19960725
  

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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804440300000265	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 440.3 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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