大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

砷化鎵mesfet元件技術(ii)=gaas mesfet techno...

~

國立交通大學電子工程研究所

砷化鎵mesfet元件技術(ii)=gaas mesfet technology(ii)

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	李建平
其他團體作者:	國立交通大學電子工程研究所
出版地:	台北市
出版者:	科學技術資料中心;
出版年:	1991
面頁冊數:	180頁 : 11x15公分;
附註:	NSC80-0404-E009-074

砷化鎵mesfet元件技術(ii)=gaas mesfet technology(ii)
李建平

砷化鎵mesfet元件技術(ii)=gaas mesfet technology(ii) / 李建平著 ; 國立交通大學電子工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 180頁 ; 11x15公分.
NSC80-0404-E009-074.

砷化鎵mesfet元件技術(ii)=gaas mesfet technology(ii)
LDR:00415nhm 2200133 450 001 63763
009 8509120
100 $a 20100607d1991 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 砷化鎵mesfet元件技術(ii)=gaas mesfet technology(ii) $f 李建平著 $g 國立交通大學電子工程研究所
210 $a 台北市 $c 科學技術資料中心 $d 1991
215 $a 180頁 $d 11x15公分
300 $a NSC80-0404-E009-074
700 $a 李建平 $4 著 $3 62318
712 $a 國立交通大學電子工程研究所 $3 63334
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 19960723

筆 0 讀者評論

館藏

2 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

804448600000213

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 448.6 XXXX V1

1.一般(Normal)

在架

0

804448600000214

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 448.6 XXXX V2

1.一般(Normal)

在架

0

2 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入