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以電荷泵法研究金氧半電晶體體的老化=the study of mos t... ~ 清華大學電機工程研究所

 

• 以電荷泵法研究金氧半電晶體體的老化=the study of mos transistor degradation by charge pumping method

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  其他作者:	連振炘
  團體作者:	清華大學電機工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1992
  面頁冊數:	91頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC83-0404-E007-035

• 以電荷泵法研究金氧半電晶體體的老化=the study of mos transistor degradation by charge pumping method
• 清華大學電機工程研究所
  
  以電荷泵法研究金氧半電晶體體的老化=the study of mos transistor degradation by charge pumping method / 清華大學電機工程研究所 ; 連振炘 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1992. - 91頁 ; 11x15公分.
  NSC83-0404-E007-035.
  
  連振炘

• 以電荷泵法研究金氧半電晶體體的老化=the study of mos transistor degradation by charge pumping method
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804448000000292	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 448 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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