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去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體... ~ 成功大學電機工程研究所

 

• 去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s..

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  作者:	許渭州
  其他團體作者:	成功大學電機工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1991
  面頁冊數:	90頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC80-0404-E006-057

• 去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s..
• 許渭州
  
  去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s.. / 許渭州 著 ; 成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 90頁 ; 11x15公分.
  NSC80-0404-E006-057.

• 去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s..
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804448000000287	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 448 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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