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電壓控制型砷化鎵量子井三端交換元件之研製=gaas quantum we... ~ 劉文超

 

• 電壓控制型砷化鎵量子井三端交換元件之研製=gaas quantum well negative differential resistance device prepared by molecul..

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  其他作者:	劉文超
  團體作者:	成功大學電機所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1991
  面頁冊數:	12頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC80-0404-E006-014

• 電壓控制型砷化鎵量子井三端交換元件之研製=gaas quantum well negative differential resistance device prepared by molecul..
• 成功大學電機所
  
  電壓控制型砷化鎵量子井三端交換元件之研製=gaas quantum well negative differential resistance device prepared by molecul.. / 成功大學電機所 ; 劉文超 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 12頁 ; 11x15公分.
  NSC80-0404-E006-014.
  
  劉文超

• 電壓控制型砷化鎵量子井三端交換元件之研製=gaas quantum well negative differential resistance device prepared by molecul..
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804448000000113	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 448 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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