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抗輻射金氧半元件製程及電路輻射穩定度研究=studies of the ...

台灣大學電機系

抗輻射金氧半元件製程及電路輻射穩定度研究=studies of the radiation hard fabrication process of mos devices and the rad...

抗輻射金氧半元件製程及電路輻射穩定度研究=studies of the radiation hard fabrication process of mos devices and the rad...
台灣大學電機系

抗輻射金氧半元件製程及電路輻射穩定度研究=studies of the radiation hard fabrication process of mos devices and the rad... / 台灣大學電機系 ; 胡振國著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 133頁 ; 11x15公分.
NSC80-0404-E002-001.

胡振國

抗輻射金氧半元件製程及電路輻射穩定度研究=studies of the radiation hard fabrication process of mos devices and the rad...
LDR:00479nhm 2200133 450 001 60474
009 8505820
100 $a 20100607d1991 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 抗輻射金氧半元件製程及電路輻射穩定度研究=studies of the radiation hard fabrication process of mos devices and the rad... $f 台灣大學電機系 $g 胡振國著
210 $a 台北市 $c 科學技術資料中心 $d 1991
215 $a 133頁 $d 11x15公分
300 $a NSC80-0404-E002-001
702 $a 胡振國 $4 著 $3 2917
710 $a 台灣大學電機系 $3 60284
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 19960705