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利用低壓化學氣相沉積法製作動態隨機存取記憶體應用之(ta2o5)1-x-...

~

張志祥

利用低壓化學氣相沉積法製作動態隨機存取記憶體應用之(ta2o5)1-x-(tio2)x介電薄膜的研究

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	張志祥
其他團體作者:	清華大學材料科學工程所
出版地:	台北市
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	346頁 : 11x15公分;
標題:	工程材料 -
附註:	MOE88-0002-843546-D

利用低壓化學氣相沉積法製作動態隨機存取記憶體應用之(ta2o5)1-x-(tio2)x介電薄膜的研究
張志祥

利用低壓化學氣相沉積法製作動態隨機存取記憶體應用之(ta2o5)1-x-(tio2)x介電薄膜的研究 / 張志祥撰 ; 清華大學材料科學工程所 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 346頁 ; 11x15公分.
MOE88-0002-843546-D.
工程材料

利用低壓化學氣相沉積法製作動態隨機存取記憶體應用之(ta2o5)1-x-(tio2)x介電薄膜的研究
LDR:00465nhm 2200133 450 001 306006
009 9128631
100 $a 20100608d1999 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 利用低壓化學氣相沉積法製作動態隨機存取記憶體應用之(ta2o5)1-x-(tio2)x介電薄膜的研究 $f 張志祥撰 $g 清華大學材料科學工程所
210 $a 台北市 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 346頁 $d 11x15公分
300 $a MOE88-0002-843546-D
606 $a 工程材料 $3 14660
700 $a 張志祥 $4 撰 $3 329430
712 $a 清華大學材料科學工程所 $3 317506
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20030116

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