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利用濺鍍法以鎳酸鑭為電極製作動態記憶體之鋯鈦酸鋇薄膜的研究
~
施修正
利用濺鍍法以鎳酸鑭為電極製作動態記憶體之鋯鈦酸鋇薄膜的研究
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
施修正
其他團體作者:
清華大學材料科學工程所
出版地:
台北市
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:
1999
面頁冊數:
253頁 : 11x15公分;
標題:
工程材料 -
附註:
MOE88-0002-817510-D
利用濺鍍法以鎳酸鑭為電極製作動態記憶體之鋯鈦酸鋇薄膜的研究
施修正
利用濺鍍法以鎳酸鑭為電極製作動態記憶體之鋯鈦酸鋇薄膜的研究
/ 施修正 撰 ; 清華大學材料科學工程所 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 253頁 ; 11x15公分.
MOE88-0002-817510-D.
工程材料
利用濺鍍法以鎳酸鑭為電極製作動態記憶體之鋯鈦酸鋇薄膜的研究
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20030116
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