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用於超大型積電之深次微米超薄絻緣體上矽金氧半元件模型

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國立台灣大學電機工程學系暨研究

用於超大型積電之深次微米超薄絻緣體上矽金氧半元件模型

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	郭正邦
其他團體作者:	國立台灣大學電機工程學系暨研究
出版地:	台北市
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
面頁冊數:	143頁 : 11x15公分;
標題:	電機工程 -
附註:	NSC86-2215-E002-019

用於超大型積電之深次微米超薄絻緣體上矽金氧半元件模型
郭正邦

用於超大型積電之深次微米超薄絻緣體上矽金氧半元件模型 / 郭正邦撰 ; 國立台灣大學電機工程學系暨研究 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 - 143頁 ; 11x15公分.
NSC86-2215-E002-019.
電機工程

用於超大型積電之深次微米超薄絻緣體上矽金氧半元件模型
LDR:00427nhm 2200133 450 001 302363
009 9110014
100 $a 20100608 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 用於超大型積電之深次微米超薄絻緣體上矽金氧半元件模型 $f 郭正邦撰 $g 國立台灣大學電機工程學系暨研究
210 $a 台北市 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心
215 $a 143頁 $d 11x15公分
300 $a NSC86-2215-E002-019
606 $a 電機工程 $3 9918
700 $a 郭正邦 $4 撰 $3 55982
712 $a 國立台灣大學電機工程學系暨研究 $3 325906
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20020322

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館藏

2 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

804621300000878

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 621.3 0715 V1

1.一般(Normal)

在架

0

804621300000879

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 621.3 0715 V2

1.一般(Normal)

在架

0

2 筆 • 頁數 1 •
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