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高能隙半導體碳化矽的單晶薄膜低溫成長

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國立台灣科技大學化學工程系

高能隙半導體碳化矽的單晶薄膜低溫成長

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	洪儒生
其他團體作者:	國立台灣科技大學化學工程系
出版地:	台北市
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
面頁冊數:	85頁 : 11x15公分;
標題:	化學工程 -
附註:	NSC86-2214-E011-011

高能隙半導體碳化矽的單晶薄膜低溫成長
洪儒生

高能隙半導體碳化矽的單晶薄膜低溫成長 / 洪儒生撰 ; 國立台灣科技大學化學工程系 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 - 85頁 ; 11x15公分.
NSC86-2214-E011-011.
化學工程

高能隙半導體碳化矽的單晶薄膜低溫成長
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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

804460000001756

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 460 3422-2

1.一般(Normal)

在架

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