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利用高週波磁控濺鍍法在製備緩衝層之矽晶片上成長氧化鉭薄膜及其應用
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大同大學光電工程所
利用高週波磁控濺鍍法在製備緩衝層之矽晶片上成長氧化鉭薄膜及其應用
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
張育彰
其他團體作者:
大同大學光電工程所
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:
1999
面頁冊數:
121頁 : 11x15公分;
標題:
電子工程 -
附註:
MOE88-1102-68711009
利用高週波磁控濺鍍法在製備緩衝層之矽晶片上成長氧化鉭薄膜及其應用
張育彰
利用高週波磁控濺鍍法在製備緩衝層之矽晶片上成長氧化鉭薄膜及其應用
/ 張育彰 撰 ; 大同大學光電工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 121頁 ; 11x15公分.
MOE88-1102-68711009.
電子工程
利用高週波磁控濺鍍法在製備緩衝層之矽晶片上成長氧化鉭薄膜及其應用
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20030526
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三樓視聽資料區
館藏
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1
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833448600001367
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MF 448.6 1100-B V1
1.一般(Normal)
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0
833448600001368
三樓視聽資料區
3.不外借
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MF 448.6 1100-B V2
1.一般(Normal)
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