大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

表面通道與絕緣體上矽層金氧半場效電晶體之閘極電流與應力後汲極電流特性模擬

~

臺灣科技大學電子工程所

表面通道與絕緣體上矽層金氧半場效電晶體之閘極電流與應力後汲極電流特性模擬

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	許重傑
其他團體作者:	臺灣科技大學電子工程所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	117頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE88-0102-D8502013-D

表面通道與絕緣體上矽層金氧半場效電晶體之閘極電流與應力後汲極電流特性模擬
許重傑

表面通道與絕緣體上矽層金氧半場效電晶體之閘極電流與應力後汲極電流特性模擬 / 許重傑撰 ; 臺灣科技大學電子工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 117頁 ; 11x15公分.
MOE88-0102-D8502013-D.
電子工程

表面通道與絕緣體上矽層金氧半場效電晶體之閘極電流與應力後汲極電流特性模擬
LDR:00450nhm 2200133 450 001 294098
009 9209993
100 $a 20100608d1999 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 表面通道與絕緣體上矽層金氧半場效電晶體之閘極電流與應力後汲極電流特性模擬 $f 許重傑撰 $g 臺灣科技大學電子工程所
210 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 117頁 $d 11x15公分
300 $a MOE88-0102-D8502013-D
606 $a 電子工程 $3 505
700 $a 許重傑 $4 撰 $3 321999
712 $a 臺灣科技大學電子工程所 $3 321960
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20030428

筆 0 讀者評論

館藏

2 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

833448600001221

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 448.6 0822-A V1

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

833448600001222

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 448.6 0822-A V2

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

2 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入