大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

以液相沈積法成長氮氧化矽薄膜及於生長時加上偏壓以改善膜之電特性

~

中山大學電機工程所

以液相沈積法成長氮氧化矽薄膜及於生長時加上偏壓以改善膜之電特性

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	林碩彥
其他團體作者:	中山大學電機工程所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	105頁 : 11x15公分;
標題:	電機工程 -
附註:	MOE88-0009-8731602

以液相沈積法成長氮氧化矽薄膜及於生長時加上偏壓以改善膜之電特性
林碩彥

以液相沈積法成長氮氧化矽薄膜及於生長時加上偏壓以改善膜之電特性 / 林碩彥撰 ; 中山大學電機工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 105頁 ; 11x15公分.
MOE88-0009-8731602.
電機工程

以液相沈積法成長氮氧化矽薄膜及於生長時加上偏壓以改善膜之電特性
LDR:00426nhm 2200133 450 001 292606
009 9208403
100 $a 20100608d1999 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 以液相沈積法成長氮氧化矽薄膜及於生長時加上偏壓以改善膜之電特性 $f 林碩彥撰 $g 中山大學電機工程所
210 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 105頁 $d 11x15公分
300 $a MOE88-0009-8731602
606 $a 電機工程 $3 9918
700 $a 林碩彥 $4 撰 $3 91728
712 $a 中山大學電機工程所 $3 320500
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20030407

筆 0 讀者評論

館藏

2 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

833448000002822

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 448 4410-C V1

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

833448000002823

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 448 4410-C V2

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

2 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入