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磊晶層厚度對mos靜電放電可靠性之衝擊

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交通大學電子工程所

磊晶層厚度對mos靜電放電可靠性之衝擊

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	陳順棠
其他團體作者:	交通大學電子工程所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	73頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE88-0007-8711545

磊晶層厚度對mos靜電放電可靠性之衝擊
陳順棠

磊晶層厚度對mos靜電放電可靠性之衝擊 / 陳順棠撰 ; 交通大學電子工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 73頁 ; 11x15公分.
MOE88-0007-8711545.
電子工程

磊晶層厚度對mos靜電放電可靠性之衝擊
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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

833448600001036

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 448.6 7529-A

1.一般(Normal)

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