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利用超高真空化學分子磊晶系統成長複晶矽鍺閘極的正型金氧半電晶體之製程研究

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交通大學電子工程所

利用超高真空化學分子磊晶系統成長複晶矽鍺閘極的正型金氧半電晶體之製程研究

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	陳坤明
其他團體作者:	交通大學電子工程所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	114頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE88-0007-8511801-D

利用超高真空化學分子磊晶系統成長複晶矽鍺閘極的正型金氧半電晶體之製程研究
陳坤明

利用超高真空化學分子磊晶系統成長複晶矽鍺閘極的正型金氧半電晶體之製程研究 / 陳坤明撰 ; 交通大學電子工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 114頁 ; 11x15公分.
MOE88-0007-8511801-D.
電子工程

利用超高真空化學分子磊晶系統成長複晶矽鍺閘極的正型金氧半電晶體之製程研究
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210 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 114頁 $d 11x15公分
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館藏

2 筆 • 頁數 1 •
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典藏地名稱

館藏流通類別

833448600000981

三樓視聽資料區

3.不外借

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MF 448.6 7546-A V1

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