大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

高密度電漿製程對次微米金氧半場效電晶體的正負面效應

~

劉慕義

高密度電漿製程對次微米金氧半場效電晶體的正負面效應

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	劉慕義
其他團體作者:	清華大學工程與系統科學所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	131頁 : 11x15公分;
標題:	工程與系統科學 -
附註:	MOE88-0002-G873103

高密度電漿製程對次微米金氧半場效電晶體的正負面效應
劉慕義

高密度電漿製程對次微米金氧半場效電晶體的正負面效應 / 劉慕義撰 ; 清華大學工程與系統科學所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 131頁 ; 11x15公分.
MOE88-0002-G873103.
工程與系統科學

高密度電漿製程對次微米金氧半場效電晶體的正負面效應
LDR:00417nhm 2200133 450 001 288790
009 9201968
100 $a 20100608d1999 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 高密度電漿製程對次微米金氧半場效電晶體的正負面效應 $f 劉慕義撰 $g 清華大學工程與系統科學所
210 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 131頁 $d 11x15公分
300 $a MOE88-0002-G873103
606 $a 工程與系統科學 $3 93547
700 $a 劉慕義 $4 撰 $3 317536
712 $a 清華大學工程與系統科學所 $3 317510
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20030130

筆 0 讀者評論

館藏

2 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

833440000001265

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 440 7248 V1

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

833440000001266

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 440 7248 V2

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

2 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入