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Hot carrier design considerations fo...
~
WangCheng T. edited
Hot carrier design considerations for mos devices and circuits
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
書名/作者:
Hot carrier design considerations for mos devices and circuits/ Wang,Cheng T. edited
作者:
WangCheng T. edited
出版者:
New York : Van Nostrand Reinhold Company Inc., 1992
面頁冊數:
334頁; 23x16公分
標題:
Metal oxide semiconductors-...
標題:
Design and construction
標題:
Reliability
ISBN:
0442001215(精裝)
Hot carrier design considerations for mos devices and circuits
WangCheng T. edited
Hot carrier design considerations for mos devices and circuits
Wang,Cheng T. edited - New YorkVan Nostrand Reinhold Company Inc.1992 - 334頁23x16公分
ISBN: 0442001215(精裝)Subjects--Topical Terms:
143370
Metal oxide semiconductors-...
Hot carrier design considerations for mos devices and circuits
LDR
:00370nam 2200133 450
001
161116
008
100623t1992 us a a 000 0 eng d
020
$a
0442001215(精裝)
035
$a
8402593
040
$b
eng
$c
DYU
041
$a
eng
044
$a
us
100
$a
WangCheng T. edited
$3
159544
245
1 0
$a
Hot carrier design considerations for mos devices and circuits
$c
Wang,Cheng T. edited
260
$a
New York
$b
Van Nostrand Reinhold Company Inc.
$c
1992
300
$a
334頁
$c
23x16公分
650
$a
Metal oxide semiconductors-...
$3
143370
650
$a
Design and construction
$3
159545
650
$a
Reliability
$3
159546
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四樓西文圖書區
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條碼號
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801621381500079
四樓西文圖書區
1.圖書流通
圖書
621.3815 W185
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