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直交實驗計畫法分析si-c-n在矽晶蝕刻槽內程平面上之沉積

~

鄭啟民

直交實驗計畫法分析si-c-n在矽晶蝕刻槽內程平面上之沉積

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	鄭啟民
出版地:	台北市
出版者:	國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:	119頁 :
標題:	工程材料 -
附註:	MOE89-0007-8618526；郭正次指導教授

直交實驗計畫法分析si-c-n在矽晶蝕刻槽內程平面上之沉積
鄭啟民

直交實驗計畫法分析si-c-n在矽晶蝕刻槽內程平面上之沉積 / 鄭啟民撰 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 119頁.
MOE89-0007-8618526；郭正次指導教授.
工程材料

直交實驗計畫法分析si-c-n在矽晶蝕刻槽內程平面上之沉積
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210 $a 台北市 $c 國科會科學技術資料中心
215 $a 119頁
300 $a MOE89-0007-8618526；郭正次指導教授
606 $a 工程材料 $3 14660
700 $a 鄭啟民 $4 撰 $3 119125
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20010131

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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

833440300000518

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 440.3 8737 V1

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833440300000519

三樓視聽資料區

3.不外借

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MF 440.3 8737 V2

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