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金氧半場效電晶體漏電流特性之模擬研究

~

林浩勳

金氧半場效電晶體漏電流特性之模擬研究

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	林浩勳
出版地:	台北市
出版者:	國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:	101頁 :
標題:	電子工程 -
附註:	MOE87-0102-M8602079;張勝良指導教授

金氧半場效電晶體漏電流特性之模擬研究
林浩勳

金氧半場效電晶體漏電流特性之模擬研究 / 林浩勳撰 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 101頁.
MOE87-0102-M8602079;張勝良指導教授.
電子工程

金氧半場效電晶體漏電流特性之模擬研究
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210 $a 台北市 $c 國科會科學技術資料中心
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801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20010118

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館藏

2 筆 • 頁數 1 •
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典藏地名稱

館藏流通類別

833448600000653

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 448.6 4432-A V1

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833448600000657

三樓視聽資料區

3.不外借

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MF 448.6 4432-A V2

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