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超薄閘極氧化層之p型金氧半電晶體中硼穿透暨電漿充電損害效應之研究

~

林靖乾

超薄閘極氧化層之p型金氧半電晶體中硼穿透暨電漿充電損害效應之研究

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	林靖乾
出版地:	台北市
出版者:	國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:	88頁 :
標題:	電子工程 -
附註:	MOE87-0007-8611546；施敏指導教授

超薄閘極氧化層之p型金氧半電晶體中硼穿透暨電漿充電損害效應之研究
林靖乾

超薄閘極氧化層之p型金氧半電晶體中硼穿透暨電漿充電損害效應之研究 / 林靖乾撰 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 88頁.
MOE87-0007-8611546；施敏指導教授.
電子工程

超薄閘極氧化層之p型金氧半電晶體中硼穿透暨電漿充電損害效應之研究
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210 $a 台北市 $c 國科會科學技術資料中心
215 $a 88頁
300 $a MOE87-0007-8611546；施敏指導教授
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700 $a 林靖乾 $4 撰 $3 117907
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20010118

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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

833448600000558

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3.不外借

微縮資料

MF 448.6 4404

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