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摻雜濃度與沉積後處理對複晶矽氧化層的影響

~

劉上玄

摻雜濃度與沉積後處理對複晶矽氧化層的影響

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	劉上玄
出版地:	台北市
出版者:	國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:	83頁 :
標題:	電子工程 -
附註:	MOE87-0007-8611533；邱碧秀指導教授

摻雜濃度與沉積後處理對複晶矽氧化層的影響
劉上玄

摻雜濃度與沉積後處理對複晶矽氧化層的影響 / 劉上玄撰 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 83頁.
MOE87-0007-8611533；邱碧秀指導教授.
電子工程

摻雜濃度與沉積後處理對複晶矽氧化層的影響
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典藏地名稱

館藏流通類別

833448600000541

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3.不外借

微縮資料

MF 448.6 7220

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