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多晶矽閘極滲雜濃度對以超薄氧化層製作的深次微米元件可靠度之研究
~
陳彥斐
多晶矽閘極滲雜濃度對以超薄氧化層製作的深次微米元件可靠度之研究
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
陳彥斐
出版地:
台北市
出版者:
國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:
100頁 :
標題:
電子工程 -
附註:
MOE87-0007-8611530；張俊彥、林鴻志 指導教授
多晶矽閘極滲雜濃度對以超薄氧化層製作的深次微米元件可靠度之研究
陳彥斐
多晶矽閘極滲雜濃度對以超薄氧化層製作的深次微米元件可靠度之研究
/ 陳彥斐 撰 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 100頁.
MOE87-0007-8611530；張俊彥、林鴻志 指導教授.
電子工程
多晶矽閘極滲雜濃度對以超薄氧化層製作的深次微米元件可靠度之研究
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20010118
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三樓視聽資料區
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
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833448600000536
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微縮資料
MF 448.6 7501 V1
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
833448600000537
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 448.6 7501 V2
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