語系:
繁體中文
English
日文
簡体中文
說明(常見問題)
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
低能隙導電高分子:聚異硫印系結構、物性與磁性研究
~
洪添燦
低能隙導電高分子:聚異硫印系結構、物性與磁性研究
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
洪添燦
出版地:
台北市
出版者:
國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:
285頁 : 11x15公分;
標題:
化學工程 -
附註:
MOE87-0002-813646-D; 陳壽安 指導教授
低能隙導電高分子:聚異硫印系結構、物性與磁性研究
洪添燦
低能隙導電高分子:聚異硫印系結構、物性與磁性研究
/ 洪添燦 撰 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 285頁 ; 11x15公分.
MOE87-0002-813646-D; 陳壽安 指導教授.
化學工程
低能隙導電高分子:聚異硫印系結構、物性與磁性研究
LDR
:00396nhm 2200133 450
001
112818
009
8923014
100
$a
20100607 0chiy0900 e
101
$a
chi
102
$a
tw
200
1
$a
低能隙導電高分子:聚異硫印系結構、物性與磁性研究
$f
洪添燦 撰
210
$a
台北市
$c
國科會科學技術資料中心
215
$a
285頁
$d
11x15公分
300
$a
MOE87-0002-813646-D; 陳壽安 指導教授
606
$a
化學工程
$3
4223
700
$a
洪添燦
$4
撰
$3
102609
801
1
$a
TW
$b
大葉大學
$c
20001117
筆 0 讀者評論
全部
三樓視聽資料區
館藏
3 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
833460000000653
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 460 3439 V1
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
833460000000654
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 460 3439 V2
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
833460000000655
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 460 3439 V3
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
3 筆 • 頁數 1 •
1
評論
新增評論
分享你的心得
Export
取書館別
處理中
...
變更密碼
登入