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利用多項式模擬來分析和估測互補金氧半導體電路的功率消耗

~

沈文仁

利用多項式模擬來分析和估測互補金氧半導體電路的功率消耗

レコード種別:	マイクロフィルム : モノグラフ
著者:	辛東橙
副次的な著作責任 :	沈文仁
出版地:	台北市
出版された:	國科會科學技術資料中心;
記述:	65頁 : 11x15公分;
主題:	電子工程 -
注記:	MOE86-0007-8511601

利用多項式模擬來分析和估測互補金氧半導體電路的功率消耗
辛東橙

利用多項式模擬來分析和估測互補金氧半導體電路的功率消耗 / 辛東橙撰 ; 沈文仁指導 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 65頁 ; 11x15公分.
MOE86-0007-8511601.
電子工程

沈文仁

利用多項式模擬來分析和估測互補金氧半導體電路的功率消耗
LDR:00399nhm 2200133 450 001 105823
009 8909280
100 $a 20100607 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 利用多項式模擬來分析和估測互補金氧半導體電路的功率消耗 $f 辛東橙撰 $g 沈文仁指導
210 $a 台北市 $c 國科會科學技術資料中心
215 $a 65頁 $d 11x15公分
300 $a MOE86-0007-8511601
606 $a 電子工程 $3 505
700 $a 辛東橙 $4 撰 $3 95107
702 $a 沈文仁 $4 指導 $3 62083
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20000524

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[NT 5000115] Inventory Number

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833448600000210

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3.不外借

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MF 448.6 0054

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