高品質gaas-on-si橫向磊晶技術之應用元件之模擬分析與研製=epi...
中原大學電子工程學系

 

  • 高品質gaas-on-si橫向磊晶技術之應用元件之模擬分析與研製=epitaxial lateral overgrowth of high-quality gaas on si and the s
  • 紀錄類型: 微縮資料 : 單行本
    作者: 溫武義
    其他團體作者: 中原大學電子工程學系
    出版地: 台北市
    出版者: 科學技術資料中心;
    面頁冊數: 101頁 : 11x15公分;
    附註: NSC852215E033004
館藏
  • 2 筆 • 頁數 1 •
 
804448650000007 三樓視聽資料區 3.不外借 微縮資料 MF 448.65 3611 V1 1.一般(Normal) 在架 0
804448650000012 三樓視聽資料區 3.不外借 微縮資料 MF 448.65 3611 V2 1.一般(Normal) 在架 0
  • 2 筆 • 頁數 1 •
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