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砷化銦鎵-砷化鎵漸變摻雜式通道之功率場效電晶體之研製=the fabri... ~ 劉文超

 

• 砷化銦鎵-砷化鎵漸變摻雜式通道之功率場效電晶體之研製=the fabrication of ingaas-gaas graded-doped channel power field-effe

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  作者:	劉文超
  其他團體作者:	成功大學電機工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  附註:	NSC84-2215-E006-016

• 砷化銦鎵-砷化鎵漸變摻雜式通道之功率場效電晶體之研製=the fabrication of ingaas-gaas graded-doped channel power field-effe
• 劉文超
  
  砷化銦鎵-砷化鎵漸變摻雜式通道之功率場效電晶體之研製=the fabrication of ingaas-gaas graded-doped channel power field-effe / 劉文超 ; 成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心
  NSC84-2215-E006-016.

• 砷化銦鎵-砷化鎵漸變摻雜式通道之功率場效電晶體之研製=the fabrication of ingaas-gaas graded-doped channel power field-effe
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804621300000576	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 621.3 7204	1.一般(Normal)	在架	0

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