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去含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件=stable simos ...

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台灣大學電機工程學系

去含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件=stable simos devices with oxynitride gate dielectrics

レコード種別:	マイクロフィルム : モノグラフ
副次的な著作責任 :	胡振國
団体:	台灣大學電機工程學系
出版地:	台北市
出版された:	科學技術資料中心;
出版年:	1994
記述:	115頁 : 11x15公分;
注記:	NSC83-0404-E002-018

去含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件=stable simos devices with oxynitride gate dielectrics
台灣大學電機工程學系

去含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件=stable simos devices with oxynitride gate dielectrics / 台灣大學電機工程學系 ; 胡振國著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1994. - 115頁 ; 11x15公分.
NSC83-0404-E002-018.

胡振國

去含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件=stable simos devices with oxynitride gate dielectrics
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[NT 5000115] Inventory Number

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804621300000130

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