語系:
繁體中文
English
日文
簡体中文
說明(常見問題)
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
互補式鈥氧半元件使用快速退火製程之研究=the investigatio...
~
李雅明
互補式鈥氧半元件使用快速退火製程之研究=the investigation on cmos process technology using rapid thermal annealing
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
李雅明
其他團體作者:
清華大學電機工程學系
出版地:
台北市
出版者:
科學技術資料中心;
出版年:
1991
面頁冊數:
102頁 : 11x15公分;
附註:
NSC80-0404-E007-037
互補式鈥氧半元件使用快速退火製程之研究=the investigation on cmos process technology using rapid thermal annealing
李雅明
互補式鈥氧半元件使用快速退火製程之研究=the investigation on cmos process technology using rapid thermal annealing
/ 李雅明 著 ; 清華大學電機工程學系 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 102頁 ; 11x15公分.
NSC80-0404-E007-037.
互補式鈥氧半元件使用快速退火製程之研究=the investigation on cmos process technology using rapid thermal annealing
LDR
:00480nhm 2200133 450
001
65803
009
8511166
100
$a
20100607d1991 0chiy0900 e
101
$a
chi
102
$a
tw
200
1
$a
互補式鈥氧半元件使用快速退火製程之研究=the investigation on cmos process technology using rapid thermal annealing
$f
李雅明 著
$g
清華大學電機工程學系
210
$a
台北市
$c
科學技術資料中心
$d
1991
215
$a
102頁
$d
11x15公分
300
$a
NSC80-0404-E007-037
700
$a
李雅明
$4
著
$3
50922
712
$a
清華大學電機工程學系
$3
61985
801
1
$a
TW
$b
大葉大學
$c
19960813
筆 0 讀者評論
全部
三樓視聽資料區
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
804448600000288
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 448.6 XXXX V1
1.一般(Normal)
在架
0
804448600000289
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 448.6 XXXX V2
1.一般(Normal)
在架
0
2 筆 • 頁數 1 •
1
評論
新增評論
分享你的心得
Export
取書館別
處理中
...
變更密碼
登入