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Iii-v族化合物半導體之活性離子蝕刻研究=reactive ion e...
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成功大學電機工程研究所
Iii-v族化合物半導體之活性離子蝕刻研究=reactive ion etching of iii-v compound semiconductor
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
方寶村
其他團體作者:
成功大學電機工程研究所
出版地:
台北市
出版者:
科學技術資料中心;
出版年:
1991
面頁冊數:
104頁 : 11x15公分;
附註:
NSC80-0417-E006-006
Iii-v族化合物半導體之活性離子蝕刻研究=reactive ion etching of iii-v compound semiconductor
方寶村
Iii-v族化合物半導體之活性離子蝕刻研究=reactive ion etching of iii-v compound semiconductor
/ 方寶村 著 ; 成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 104頁 ; 11x15公分.
NSC80-0417-E006-006.
Iii-v族化合物半導體之活性離子蝕刻研究=reactive ion etching of iii-v compound semiconductor
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19960729
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三樓視聽資料區
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
1
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804448000000317
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804448000000318
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