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以mocvd成長gasb異質結構及gasb元件研製相關技術之研究 ~ 成功大學電機工程研究所

 

• 以mocvd成長gasb異質結構及gasb元件研製相關技術之研究

• 纪录类型:	[NT 13] Microfilm : 单行本
  其他作者:	蘇炎坤
  团体作者:	成功大學電機工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1991
  面页册数:	80頁 : 11x15公分;
  附注:	NSC80-0417-E006-002

• 以mocvd成長gasb異質結構及gasb元件研製相關技術之研究
• 成功大學電機工程研究所
  
  以mocvd成長gasb異質結構及gasb元件研製相關技術之研究 / 成功大學電機工程研究所 ; 蘇炎坤 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 80頁 ; 11x15公分.
  NSC80-0417-E006-002.
  
  蘇炎坤

• 以mocvd成長gasb異質結構及gasb元件研製相關技術之研究
• LDR:00420nhm 2200133 450 001 64536
  009 8509894
  100 $a  20100607d1991 0chiy0900 e
  101 $a  chi
  102 $a  tw
  200 1 $a  以mocvd成長gasb異質結構及gasb元件研製相關技術之研究 $f  成功大學電機工程研究所 $g  蘇炎坤 著
  210 $a  台北市 $c  科學技術資料中心 $d  1991
  215 $a  80頁 $d  11x15公分
  300 $a  NSC80-0417-E006-002
  702 $a  蘇炎坤 $4  著 $3  7966
  710 $a  成功大學電機工程研究所 $3  62283
  801 1 $a  TW $b  大葉大學 $c  19960729
  

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条形码号	典藏地名称	馆藏流通类别	数据类型	索书号	使用类型	借阅状态	预约状态	Opac备注	附件
804448000000315	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 448 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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